Японские ученые из Национального института передовой промышленной науки и технологии (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) разработали новую полупроводниковую структуру, которая может использоваться в качестве ультрафиолетового лазера в оптическом приводе. Изобретение, как утверждают его создатели, поможет достичь более высокой плотности записи информации на гибкий диск.
В основе нового материала лежит слой оксида цинка толщиной 1 мм, полученный с помощью метода молекулярно-лучевого эпитаксиального выращивания кристаллов. Оксид цинка играет роль активного слоя. Вместо двух барьерных слоёв, которые используются в традиционных светоизлучающих устройствах, японские ученые предложили применить один – ZnMgO. В ходе исследований было замечено, что ZnMgO позволяет добиться еще большей эффективности излучения, чем ZnO. Поэтому в будущем планируется опробовать ZnMgO в качестве активного слоя.
Материал на основе оксида цинка может использоваться в высокоэффективных ультрафиолетовых светоизлучающих диодах, полупроводниковых лазерах, а также высокоэффективных источниках белого света.