Освоение все более тонких норм замедлится на отметке 22 нм; что будет дальше?

В рамках встречи IEDM обсуждалось не только появление фабрик, рассчитанных на пластины диаметром 450 мм. Было также высказано мнение, что закон Мура, в соответствии с которым уже не первое десятилетие развивается полупроводниковая отрасль, после освоения норм 22 нм не будет работать, как раньше.

23.12.2008 06:55 Поделиться:

 


В рамках встречи IEDM обсуждалось не только появление фабрик, рассчитанных на пластины диаметром 450 мм. Было также высказано мнение, что закон Мура, в соответствии с которым уже не первое десятилетие развивается полупроводниковая отрасль, после освоения норм 22 нм не будет работать, как раньше.

«Замедляется ли освоение все более тонких норм? Пока нет, но скоро начнет, — сказал Крейг Сандер, вице-президент AMD по научно-исследовательским разработкам в области техпроцессов. — Мы приближаемся к физическим пределам (уменьшения). После этого темпы снизятся».

Сандер также обратил внимание участников на рост затрат, сопровождающий прогресс в области технологий производства. В самом деле, общая стоимость разработки увеличивается в 1,4 раза при переходе к каждому следующему шагу технологических норм, постоянно сужая круг компаний, которые могут позволить себе такие затраты.

В чем специалисты видят выход из этой ситуации? Снижение темпов освоения новых норм в технологическом процессе может быть скомпенсировано увеличением количества инноваций. Образно говоря, количественное направление развития уступит роль качественному, повысив значение инноваций. В этой связи были названы наиболее перспективные разработки, которые могут найти применение, если переход к более тонким нормам замедлится. В список вошли трехмерные структуры с межслойными соединениями (thru-silicon via, TSV), углеродные нанотрубки, транзисторы типа FinFET. Интерес также представляет повышение плотности хранения NAND до четырех бит на ячейку и другие разработки в области памяти.


 


Автор: cooliver

Просмотры: 6

Источник: http://www.ixbt.com

Сетевое издание «1НСК» (16+).

Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор).

Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77 - 67937 от 06.12.2016 г.

Учредитель: Харитонов Константин Николаевич.
Главный редактор: Чухутова Мария Николаевна.
Телефон редакции: 8 (988) 253-57-79.
Электронный адрес редакции: redactor@1nsk.ru.
Контактные данные для Роскомнадзора и государственных органов: redactor@1nsk.ru.
Для рекламодателей: adv@1nsk.ru.